「美國若對中國的芯片行業實施更多限制，中國肯定會做出回應」。中國駐美大使謝鋒7月作出的聲言，美國開始知驚啦。俄羅斯媒爆料，中國既可以量產高端芯片，還有新技術推動自主研製2nm芯片。
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各地專家瘋狂拆機求解華為新手機那顆國產芯片之謎，全部結果都令華盛頓感到失望——中國博客鑒定，Mate 60 Pro 搭載麒麟 9000s 處理器，是國產7nm工藝；日本技術咨詢機構 Fomalhaut Techno Solutions 拆解之下，發現該款手機沒有一顆美國芯片，且網速遠遠大於5G，甚至會是傳說中的5.5 G——彭博社的檢測最令美國尷尬，經過與科技咨詢機構 TechInsight 合作檢測之後，確認華為手機芯片百分百國產。之前，「美國政府採取的出口限制措施，是想將中國的芯片技術卡在落後最先進技術8年左右。」如今，華為這款手機芯片，令人懷疑美國為阻止中國獲得先進芯片技術而在全球實施的封鎖，是否真的有效。」
儘管美國商業部長雷蒙多輸人不輸陣，上周在眾議院聽證會中依然含糊其詞，只說，「現在沒有任何證據表明，中國有能力可以量產7nm芯片」。不過，彭博社修正之前華盛頓以為可以阻礙中國科技發展的目標︰「現在中國已經證明至少可以生產一定數量、僅落後最先進技術5年的芯片了」，彭博社再表示，「這距離中國在半導體這個關鍵領域實現自給自足，又進了一步」。
更壞的消息不是確認中國芯片「跳」了3個年級，而是中國新技術的突圍，俄羅斯衛星通訊社︰「清華大學工程物理系唐傳祥教授帶領的一個研究小組與德國科研團隊在《自然》雜誌上發表的研究論文，名為「穩態微聚束」（SSMB）的新型粒子加速器光源，為大規模製造高質量芯片提供新技術途徑。」有關理論可追溯10多年前在美國提出，後來成為中國重點研究，現在有新進展︰「清華大學團隊正在與雄安新區有關部門積極商討，為這一尖端項目選址建一大型廠房，將多台光刻機集中在一台加速器周圍，實現本地化製造。 這項創新可以促進大批量、低成本的芯片製造，並有可能推動中國在先進芯片（即2nm芯片）的工業生產中發揮領導作用。」新技術接近可行階段，如果成功的話，中國可以繞過荷蘭ASML公司的光刻系統。
俄媒資料顯示︰SSMB理論是利用帶電粒子在加速過程中釋放的能量作為光源。其結果是產生帶寬窄、散射角小和連續的純EUV光。與目前的ASML 的EUV技術相比，SSMB是一種更理想的光源。它具有較高的平均功率和較高的芯片產量和較低的單位成本。
中國衝破美西方日本韓國台灣合力打造的芯片圍堵可期。現在球踢到美國那邊去，中國芯片自主獨立，拜登的千億美元資助本土製造芯片計劃，即時變成「大白象」工程，此外，美國技術牌打完，中國的稀土牌還未盡露，中國不高興就可以主動對美國進行制裁。順帶一提，俄羅斯的稀有材料也豐富，中俄配合對付美國，不出10年，美國是不是比印度還要艱難？
深藍
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