城大辦「HK Tech 300 Expo」創新創業博覽 將近300間初創企業科研成果轉化落地

香港城市大學（城大）於星期五及星期六一連兩日在校園舉辦大型創新創業博覽「HK Tech 300 Expo」，為期兩天的博覽會匯聚了近300間專注於不同科創領域的初創企業，並舉行超過60場創業投資路演，展示城大成功將世界級的科研成果及創新創業意念，轉化落地，推出巿場，為社會帶來正面影響。

除了博覽的開幕典禮，城大於星期五舉行「HK Tech 300 國際創新創業千萬大賽」（HK Tech 300 國際大賽）的啟動儀式，進一步將其創新創業的影響力拓展至全球舞台。

開幕典禮由香港特別行政區創新科技及工業局局長孫東教授、城大校董會主席魏名成（明德）、城大司庫錢應安以及城大校長梅彥昌教授擔任主禮嘉賓。

泰國駐香港總領事吳豐燦、越南駐香港總領事黎德幸，以及來自內地 12 個HK Tech 300 夥伴城市的政府及合作機構代表亦有出席典禮。

孫東在致辭時讚揚城大在培育年輕人才和扶植初創企業的貢獻。他說：「城大和HK Tech 300 為促進跨學科、跨界別及跨行業的合作締造了一個蓬勃的生態圈。我們必須共同努力為年輕創業者提供必要的資源、指導和機會，讓他們將創新意念轉化為具有影響力的解決方案，進一步推動香港發展成為國際創新科技中心。」

魏名成在歡迎辭中表示，今次博覽會及 HK Tech 300 國際大賽的啟動，標誌着城大推動創新創業發展的重要里程碑。他說：「城大致力為年輕一代營造多元發展環境，並會繼續以香港為基地、背靠祖國、聯繫全球，培育下一代成為具有全球視野的創新創業領袖。」

梅彥昌致謝辭時說：「創新是未來的引路明燈。城大及 HK Tech 300 在創新創業方面的卓越成就，有賴於『官產學研投』之間的廣泛合作和支持。城大將持續建構一個可連繫不同界別的世界級平台，助力年輕人才與深科技初創企業的成長及發展。」

自2021年起，城大推出HK Tech 300旗艦創新創業計劃，至今培育了超過900間初創企業，當中有逾 200間獲批最高達 100萬港元的天使基金投資。計劃不但提供資金和科研專利等資源，同時通過逾 250名來自不同工商產業的創業導師，以及逾 100間作為合作夥伴的公私營機構，為初創業企提供商業配對、共同投資機會等全方位支持。

今次博覽會展出了近300間由城大及HK Tech 300培育的初創企業，涵蓋了生物和健康科技、資訊科技和人工智能、先進製造和環境、社會和管治（ESG）、金融科技等領域的一系列創新解決方案。博覽會同時展出了獲香港特區政府「產學研 1+計劃」撥款資助的科研項目，以及由城大創新學院首屆理學碩士（創新創業）畢業生的創新方案和商業計劃。

城大早於2022年及2023年起將HK Tech 300擴展至內地和東南亞地區。HK Tech 300國際大賽的啟動將進一步促進國際間的交流和合作，以科研創新應對全球的迫切議題。

HK Tech 300國際大賽將與來自九個國家及城市，包括文萊、匈牙利、印尼、哈薩克斯坦、馬來西亞、泰國、土耳其、越南和香港，合共11間大學、五間當地商會和初創培育機構合作，當中多國大學校長及代表亦親臨今日大賽的啟動儀式。大賽旨在協助不同地區的有志創業的人才和初創企業，善用香港的獨特優勢和資源，將業務拓展至香港及內地市場；同時帶動本地初創企業走向國際，並促進大學的科研成果轉化落地，為香港和世界各地建構一個更緊密的創新創業生態圈。

在今次博覽會中，除了城大HK Tech 300的策略合作夥伴、共同投資夥伴和支持機構參與外，亦吸引立法會議員、社區領袖及中學校長等出席，親臨見證城大初創企業的成果。逾60隊的初創企業及研究團隊在博覽會路演環節中，分享其研究成果及交流創業營商的意念。

香港城市大學科研團隊早前獲「產學研1+計劃」撥款資助，研製新型半導體晶片封裝材料，旨在解決三維積體電路（3DIC）半導體晶片封裝中的金屬化挑戰。

城大系統工程學系馮憲平帶領研究團隊，開發新材料以應對3DIC半導體晶片封裝中的金屬化挑戰。圖右起為鉑識科技研發經理牟凱鈺、城大研究助理張攸雪、鉑識科技研發經理袁牧鋒及行政總裁黃榆婷。（圖片來源：香港城市大學）

團隊將通過研製一系列可用於電鍍銅的專利化學添加劑，從而確保晶片堆疊之間的連接更快速及穩定，提高晶片效能，並計劃於2026年建立自動化智能生產線。隨着人工智能（AI）、高效能運算（HPC）及 5G通訊等新興技術迅速發展，業界對晶片效能及可靠性的要求也日漸提高。

由城大系統工程學系馮憲平領導的「化學添加劑優化電鍍銅在先進電子封裝和三維積體電路中的應用」，為第二批獲中華人民共和國香港特別行政區政府「產學研1+計劃」（RAISe+ Scheme）資助的項目。團隊將通過計劃加速科研成果的商業化、增加產業應用，助力香港在全球先進半導體供應鏈市場佔據重要席位。

三維積體電路與先進封裝技術的挑戰

現時的半導體產業之中，電晶體的數量是提升運算效能與表現的關鍵指標，但隨着市場對電晶體數量的追求不斷增加，晶片設計因而面對空間限制、耗能、散熱困難和訊號延誤等不同問題。

至於3DIC技術是通過垂直堆疊的方式來整合（封裝）多顆電晶體，克服傳統平面連接結構所帶來的限制，將積體電路的架構由二維（2D）轉化為三維（3D），從而提升半導體晶片的性能、減少功耗，並在相同面積上附載更多電晶體，提升運算能力。

此項技術的關鍵是利用「矽穿孔（TSV）」結構、重佈線層（RDL），及以「銅對銅（Cu-Cu）鍵合」的方式垂直地連接電晶體，這對促進各層之間的信號傳遞、電力分配也至為重要。然而，若要持續縮小線寬尺寸與間距，鍵合（bonding）溫度過高、銅表面氧化以及電遷移壽命等問題，仍然是下一代3DIC及先進封裝技術發展的重要挑戰。

3DIC先進封裝示意圖，展示銅對銅鍵合、重佈線層、矽／玻璃通孔等關鍵金屬互連結構。城大團隊致力開發可精準控制材料微結構的電鍍銅溶液，應對3DIC封裝技術的金屬化難題。（圖片來源：香港城市大學）

四項關鍵技術提升穩定性及效能

為解決上述難題，團隊專注於研究封裝材料的解決方案，包括開發多種電鍍銅物料，透過專利的化學添加劑精確控制銅層的微結構，以提升 3DIC、玻璃基板和先進晶片封裝的生產和效能。

針對2.5D及3DIC封裝技術中金屬互連的四項關鍵技術包括：

1. 亞穩態銅（MS-Cu）：透過納米晶粒銅結構，實現低溫的「銅對銅鍵合」方案，減少因高溫對溫度敏感元件帶來的傷害，並保持3D堆疊技術的穩定性。

2. 動態共價鍵塗層材料（DCB-coating）：可防止銅表面氧化，並易於在「銅對銅鍵合」前去除，以確保高質量和乾淨的鍵合界面。

3. 結構穩定銅（SS-Cu）：透過銅的複合微結構設計，可提高對表面腐蝕和電遷移（即電流引起原子移動，使物料形成空孔而導致裝置故障等問題）的抵抗力，確保高密度「重佈線層」的持續可靠性。

4. 納米粒子硫橋表面處理（NP-S）：為玻璃基板進行金屬化製程，可增強電鍍銅在玻璃通孔（TGV）上的附著力，令玻璃成為新一代高頻電子器件的基板材料。

未來三年，團隊將致力建立一條智能生產線，並將專用添加劑和化學物的產量提升至每月兩噸。

馮憲平說：「團隊的研究為3DIC封裝技術的『銅對銅鍵合』提供全新的解決方案，所開發的材料及塗層使電晶體的連接過程更清潔、快速和可靠，可取代現有的傳統及高溫製程。這項技術改變了敏感元件的堆疊和保護方式，有效提高3DIC技術在下一代先進半導體產業的應用潛力。」

城大系統工程學系馮憲平教授（左三）帶領的研究項目在日前獲批「產學研1+計劃」資助。（圖片來源：香港城市大學）

促進人才、專利及產業發展

團隊不但致力推動科研創新，亦計劃與本地和國際企業合作，擴大技術在人工智能、電訊、汽車及消費電子產品中的應用，同時將申請四至十項專利，以提高科研轉化落地的機會，對半導體產業和整體社會作出貢獻。

馮憲平補充說：「團隊一直專注於先進半導體封裝材料技術的研究。通過『產學研1+計劃』，我們不但希望可建立更多專利和提升生產能力，更期望藉以培育更多年輕科研人才，為本地及全球半導體市場提供具有競爭力的解決方案。」

另外，團隊在城大創新創業計劃「HK Tech 300」的支持下成立了初創企業「鉑識科技」（Doctech），並於 2023 年獲頒達 100 萬港元的天使基金投資。其初創旨在成為下一代半導體製造和封裝行業的電鍍化學品與技術供應商，將城大的科研技術轉化為具影響力的產品應用。