萬國半導體有限公司（AOS）（納斯達克：AOSL），一家廣泛分立功率器件、寬帶隙功率器件、電源管理集成電路及模組的設計、開發及全球供應商，今日推出其AOPL66801 80V金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），採用半橋配置，並以先進的DFN6x5 AmpStack™ MOSFET封裝提供。這項突破性封裝技術，可為各種功率轉換應用實現高密度設計，涵蓋新一代兆瓦級人工智能工廠以至日常電動工具。
為支援高功率密度需求，AOS這項創新先進封裝技術採用垂直堆疊晶片技術，將兩個MOSFET連接為高側及低側MOSFET，形成半橋。與兩個DFN5x6分立MOSFET解決方案相比，這種配置有效提升功率密度，並最大限度利用印刷電路板（PCB）空間。AOPL66801亦具備優化夾片設計，用於連接兩個MOSFET的開關節點，從而最大限度減少高側與低側MOSFET之間的寄生電感。與標準分立解決方案相比，AOPL66801最大限度減少PCB上的寄生電感，降低相節點電壓振鈴，並減輕MOSFET的壓力。
採用半橋配置的創新垂直堆疊DFN6x5封裝技術。 AP圖片
PCB佈局可能因寄生電感而影響閘極驅動性能，並降低開關性能。AOPL66801設有開爾文感測引腳，可在高di/dt開關期間保持閘極電壓穩定，並為高側提供更有效的驅動路徑，從而減少損耗。此外，AOPL66801的最高結溫為175°C，提供更強功能。這些因素帶來顯著的系統級改進，支援更高功率密度及提升運作效率。
AOS MOSFET產品線高級總監彼得·H·威爾遜表示：「我們全新的AmpStack™半橋封裝，對於尋求提升功率密度的設計師而言，相較於使用兩個DFN5x6封裝的解決方案，可謂顛覆性創新。」他續指：「此外，透過將封裝設計為低源極寄生電感，我們大幅減少相節點振鈴及MOSFET壓力。客戶不僅獲得更大功率，更可顯著提升應用可靠性。」
該產品的技術亮點包括：採用DFN6x5 AmpStack™封裝的80V半橋MOSFET、開關節點優化夾片設計、用於閘極電壓穩定的開爾文感測引腳、最高結溫175°C、低寄生電感、降低相節點電壓振鈴、提升功率密度及增強可靠性。
AOPL66801現已投入量產，交貨期為16周。以1,000件為單位計算，單價為6.16美元。
萬國半導體有限公司（AOS）是一家廣泛分立功率器件、寬帶隙功率器件、電源管理集成電路及模組的設計、開發及全球供應商，產品組合包括功率MOSFET、碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、智能功率模組（IPM）、瞬態電壓抑制器（TVS）、高壓閘極驅動器、功率集成電路及數碼電源產品。AOS已開發廣泛的知識產權及技術知識，涵蓋功率半導體行業的最新進展，使其能夠推出創新產品，以應對先進電子產品日益複雜的功率需求。AOS透過整合其分立及集成電路半導體工藝技術、產品設計及先進封裝技術，開發高性能電源管理解決方案，從而脫穎而出。AOS的產品組合針對大批量應用，包括個人電腦、顯示卡、數據中心、人工智能伺服器、智能手機、消費及工業電機控制、電視、照明、汽車電子產品及各種設備的電源供應單元。
（美聯社）
