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是德科技推半導體教學方案 助大學培訓未來工程師

商業事

是德科技推半導體教學方案 助大學培訓未來工程師
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是德科技推半導體教學方案 助大學培訓未來工程師

2026年03月24日 23:02 最後更新:03月25日 08:19

聖羅莎(加州)2026年3月24日電 — 是德科技(Keysight Technologies, Inc.)(紐約證券交易所:KEYS)今日宣布推出三款全新半導體教學實驗室方案,旨在協助大學培訓學生投身全球半導體行業。這三款方案包括「基本設計與測量」、「參數測試與晶圓上測量」及「光子積體電路測量」,為學生提供實踐經驗,讓他們能使用半導體研發、製造中常用的專業級工具及工作流程。

隨著全球半導體行業加速發展,大學面臨越來越大的壓力,需要培養具備行業所需技能的畢業生。學術機構意識到,單靠理論已不足夠,學生必須透過實踐,掌握真實半導體研發及製造環境中使用的測量技術、工作流程及工具。

是德科技的半導體教學實驗室方案,讓學生獲得使用行業標準半導體測試工具及工作流程的實踐經驗。 AP圖片

是德科技的半導體教學實驗室方案,讓學生獲得使用行業標準半導體測試工具及工作流程的實踐經驗。 AP圖片

是德科技透過提供專為培訓及發展而設計的方案,應對這項挑戰。作為這項工作的一部分,是德科技提供結構化、漸進式的學習路徑,模擬真實世界的半導體測試工作流程。學生可透過引導式實驗室模組,獲得設置專業測量硬件、執行基本電氣測試、器件特性分析及光子積體電路特性分析的實踐經驗,並使用行業標準設備。

主要優點包括:

是德科技通用電子測量方案副總裁林漢星(Lim Han Sing)表示:「教育工作者及整個行業在培養下一代半導體工程師方面,都扮演著關鍵角色。是德科技將真實世界的測量技術帶入課堂,正協助教育工作者提供實用、與工作相關的培訓,以緊密配合行業需求。此舉將彌補教育與實踐經驗之間的差距,支援未來的勞動力。」

關於是德科技

是德科技(紐約證券交易所:KEYS)致力啟發及賦能創新者,將改變世界的技術付諸實現。作為標普500指數成分公司,是德科技提供市場領先的設計、模擬及測試方案,協助工程師在整個產品生命週期中,以更少風險更快地開發及部署產品。是德科技是全球創新合作夥伴,協助通訊、工業自動化、航空航天與國防、汽車、半導體及通用電子市場的客戶加速創新,以連接及保障世界。

(美聯社)

矽谷半導體公司 TetraMem 專注開發模擬記憶體內運算 (IMC) 方案,今日公布其 MLX200 平台已成功完成設計定案、製造,並初步驗證其22納米多級電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 模擬記憶體內運算系統單晶片 (SoC)。

這項成就標誌著基於新興非揮發性記憶體技術的模擬運算架構,邁向商業化的重要一步,有助應對現代人工智能系統中,數據傳輸、功耗及散熱限制日益嚴峻的挑戰。

MLX200 晶片照片,旁為五仙硬幣作大小參考 AP圖片

MLX200 晶片照片,旁為五仙硬幣作大小參考 AP圖片

隨着人工智能工作負載持續擴展,系統效能日益受限於記憶體與運算單元之間數據傳輸的成本。模擬記憶體內運算提供截然不同的方法,直接在記憶體陣列內執行運算,大幅減少數據傳輸,並提升系統層面效率。TetraMem 的 MLX200 平台整合多級 RRAM 陣列與混合訊號運算引擎,可在記憶體內實現高吞吐量的向量矩陣運算,同時保持與先進互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 製程的兼容性。

台積電22納米製程展示的多級 RRAM 技術,具備實際部署所需的關鍵特性,包括與互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容,且額外製程複雜性極低;低電壓及低電流操作;強勁的數據保留及耐用性;以及支援提升記憶體及運算密度的高多級能力。初步晶片測試結果顯示,陣列功能一致,證明此方法適用於嵌入式非揮發性記憶體及記憶體內運算應用。

這項里程碑建基於 TetraMem 早前在 MX100 平台上的工作。該平台採用台積電65納米互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 製程製造,公司曾展示具備數千個電導級別的多級 RRAM 裝置(《自然》雜誌2023年3月刊登的「集成於互補式金屬氧化物半導體上的憶阻器具備數千個電導級別」),以及高精度模擬運算能力(《科學》雜誌2024年2月刊登的「以任意高精度編程憶阻器陣列實現模擬運算」)。這些前期成果為將技術擴展至更先進節點,奠定堅實的科學及工程基礎。

自2019年起,TetraMem 一直與全球領先的半導體代工廠緊密合作,將 RRAM 技術從早期研究推進至可製造的晶片。22納米製程所取得的進展,反映製程整合、裝置均勻性及系統級協同設計的持續發展。

MLX200 及 MLX201 平台旨在支援對功耗及延遲敏感的邊緣人工智能應用,包括語音及音頻處理、可穿戴裝置、物聯網系統及持續感測。預計將於2026年下半年開始評估取樣,而多級 RRAM 記憶體知識產權 (IP) 現已可供評估及潛在授權。

TetraMem 聯合創辦人兼行政總裁葛林博士指出:「這項里程碑反映我們與代工夥伴台積電多年來的緊密合作,並展示將多級 RRAM 及模擬記憶體內運算,從運算架構突破帶入先進節點商業晶片的可行性。我們相信此方法為提升下一代人工智能系統的能源效率及可擴展性,提供切實可行的途徑。」

MLX200 平台的成功實現,突顯多級 RRAM 模擬運算在先進半導體製程上的可行性。TetraMem 將繼續推進這項技術,以支援新興人工智能工作負載,提升能源效率及系統可擴展性。

關於 TetraMem:TetraMem 是一間位於矽谷的半導體公司,利用多級 RRAM 技術開創模擬記憶體內運算。其架構整合記憶體與運算,大幅減少數據傳輸,並提升人工智能工作負載的能源效率。憑藉在裝置、電路及系統協同設計方面的堅實基礎,TetraMem 正推進邊緣人工智能及未來高效能運算的可擴展方案,並與領先的代工廠及生態系統夥伴緊密合作,將基礎科學突破技術帶入商業化量產。

(美聯社)

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