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理學東北大學共創X光計量研究所成立 突破技術界限培育人才

商業事

理學東北大學共創X光計量研究所成立 突破技術界限培育人才
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理學東北大學共創X光計量研究所成立 突破技術界限培育人才

2026年08月28日 22:02 最後更新:22:23

理學控股旗下、全球X光分析系統解決方案夥伴理學株式會社(總部:東京昭島市;社長兼行政總裁:川上淳)與東北大學(宮城縣仙台市;校長:富永悌二),已於2026年8月1日在東北大學成立「理學東北大學X光計量共創研究所:超越極限」(下稱「研究所」)。研究所將透過為期三年的初步合作,推進X光計量技術、開發新計量方法,並培育下一代研究人員,未來可根據其成就延長合作期限。

隨著半導體變得更小、多層化,並整合更多元材料,製造過程亦日益複雜。X光計量技術對於支援穩定量產所需的高精度、無損分析至關重要,然而傳統技術在微結構評估及深度方向的精確結構分析等領域已達極限。應對這些挑戰,需要新的計量技術,包括軟X光(波長更長、能量較傳統X光低的X光),以及與同步輻射設施合作建立更強大的能力。

NanoTerasu鳥瞰圖 (東北大學圖片) AP圖片

NanoTerasu鳥瞰圖 (東北大學圖片) AP圖片

此外,培育能夠系統性理解先進X光計量,並將其應用於工業及研究領域的專業人才,亦變得日益重要。

為應對技術及人力資源這兩大挑戰,擁有下一代同步輻射設施NanoTerasu並在資訊科學領域領先的東北大學,與在X光計量方面具備專業知識及卓越往績的理學,共同成立了這間新研究所。研究所將以「超越極限」為宗旨,整合技術創新與人才培育,以突破X光計量現有界限。

研究所內部 AP圖片

研究所內部 AP圖片

研究所旨在專注於三大主要目標:

一、推進X光計量技術:研究所將利用NanoTerasu在軟X光領域的優勢,結合東北大學的資訊科學專業知識與理學的技術訣竅,以推進數據分析,從而開發微結構計量技術。目標是建立一個能滿足日益複雜計量及分析需求的技術基礎。

二、推動協作研究:研究所將在需要X光計量的廣泛領域內,推動協作研究,包括傳統技術無法解決的挑戰。

三、培訓及支援下一代研究人員及工程師:研究所將提供X光計量技術的系統性教育,涵蓋其基礎知識至在新材料及結構上的應用,目標是引入學分課程。旨在培養能為工業界及學術界作出貢獻的研究人員及工程師。此外,「理學獎學金計劃」將為進行X光相關研究的研究生提供獎學金,支援他們進行學位論文的學術研究,以及將其應用於實際計量技術。

在初步的三年任期內,研究所將專注於實現其聯合研究計劃的目標。重點將放在軟X光計量在半導體上的實際應用,以及透過資訊科學推進數據分析技術。在此基礎上,研究所將把研究擴展至更廣泛的領域,包括電子及功能材料,這些領域對微結構及材料狀態的精確特性分析至關重要。

透過培養具備為工業界及學術界作出貢獻技能的研究人員及工程師,研究所旨在促進X光計量領域的知識交流循環,並協助建立可持續的創新基礎。

理學株式會社X光研究實驗室總經理大表和彥(研究所營運總監兼特聘教授)表示:「每當出現新的計量目標時,理學的增長動力一直來自我們利用X光技術提供最佳解決方案的能力。儘管X光發現至今已超逾130年,其基本原理似乎已完全闡明,但我深信X光仍蘊藏著無數尚未揭示的可能性。要釋放這些可能性,將需要下一代的貢獻。在研究所,我們旨在與東北大學的學術專業知識合作,探索未知領域,同時培育下一代人才以應對這些挑戰。」

東北大學國際同步輻射創新智能中心主任千葉大地(研究所營運支援主任)指出:「X光計量是一項基礎技術,支援半導體、材料及生命科學等廣泛領域。持續創新對於釋放其全部潛力至關重要。研究所不僅旨在作為一個平台,連接理學的先進技術能力與東北大學的研究基礎設施,包括NanoTerasu,更希望創造一個環境,讓不同學科、世代及產學界限的多元思想互相啟發,產生新意念及技術。正如其名稱『超越極限』,我們希望擺脫現有框架,與下一代研究人員及工程師共同塑造X光計量技術的未來。我們期望這間研究所能成為推動創新、突破當今技術極限的發射台。」

關於理學集團:自1951年成立以來,理學集團的工程專業人員一直致力於利用尖端技術造福社會,尤其是在X光及熱分析等核心領域。理學在全球136個國家及地區設有市場業務,並擁有來自9個全球營運部門的約2,000名員工,是工業及研究分析機構的解決方案夥伴。我們的海外銷售比率已達約七成,同時在日本保持極高的市場份額。我們與客戶攜手,持續發展及成長。隨著應用範圍從半導體、電子材料、電池、環境、資源、能源、生命科學擴展至其他高科技領域,理學實現了「透過賦予新視角改善世界」的創新。

(美聯社)

JEOL株式會社(社長兼行政總裁大井泉)公布,已研發全新低角度離子研磨掃描電子顯微鏡HAXIS,並將於2026年10月5日開始發售。

隨着先進半導體器件結構持續微縮及變得更複雜,利用納米機械手接觸及測量微米級電路變得困難。此外,探測造成的接觸可能會影響分析目標,因此需要新的故障分析方法。

HAXIS低角度離子研磨掃描電子顯微鏡 AP圖片

HAXIS低角度離子研磨掃描電子顯微鏡 AP圖片

JEOL已對被動電壓對比(PVC)檢測技術進行長期研究,並透過改進檢測器及樣本製備技術,建立穩定、高度可重現的PVC觀察方法。

HAXIS是JEOL結合上述技術的全新半導體故障分析平台。即使是先進半導體,亦能實現清晰及高度可重現的PVC觀察。透過在最大限度減少加工損壞及污染影響下,視覺檢測電氣異常,可有效識別缺陷位置並確定原因。使用惰性氣體氬(Ar),確保表面質量穩定並降低運行成本。

PVC觀察的質量,會受分層剝離後樣本的表面狀況顯著影響。HAXIS採用獨特的低角度離子研磨(LIM)分層剝離技術,利用氬離子束創建平坦表面,同時最大限度減少對樣本表面的損壞。這使HAXIS即使在先進器件中,亦能實現清晰及高度可重現的PVC觀察,同時保留結構及電位資訊。

半導體故障分析涉及多個步驟,包括缺陷定位、物理分析及根本原因調查。隨着器件複雜性增加,縮短從故障檢測到可操作結果的周轉時間變得愈來愈關鍵。

HAXIS透過將LIM分層剝離與掃描電子顯微鏡(SEM)成像及被動電壓對比(PVC)分析結合,引入新的故障定位方法。這種結合工作流程可快速及高度準確地識別故障位置,支援QTAT(快速周轉時間)故障分析,並加速從電氣故障檢測過渡到物理分析及根本原因識別。

銷售目標為每年15部。

(美聯社)

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