沃夫斯比德推優質200毫米碳化硅基板 提升產量及晶圓穩定性

沃夫斯比德公司（紐約證券交易所代號：WOLF）今日宣布，推出全新優質200毫米N型碳化硅基板，擴展其200毫米碳化硅材料產品組合。新產品旨在透過減少缺陷及提升晶圓形狀穩定性，改善產量。

隨著碳化硅器件行業邁向更高電壓及更大晶片尺寸，材料層面質量及晶圓一致性已成為關鍵差異化因素。沃夫斯比德的優質200毫米N型碳化硅基板，在缺陷密度、微管數量及晶圓形狀穩定性等多項指標上，均實現質量躍升。

沃夫斯比德以優質基板擴展200毫米產品組合 AP圖片

透過消除起始材料的變異性，沃夫斯比德的優質材料為碳化硅器件製造商提供更可預測、更高產量的起始材料，增加首次設計成功的機會，並在容錯空間縮小之際，減少認證延誤。

沃夫斯比德材料業務部執行副總裁岑吉茲·巴爾卡斯博士表示：「沃夫斯比德在推進碳化硅材料技術方面處於領先地位，這次新增至我們200毫米產品組合的產品，正反映我們在這些努力背後的專業知識。我們為客戶提供更堅實的基礎，以開發要求日益嚴苛的碳化硅器件，並以製造經驗及規模作後盾，在需求增長時為他們提供支援。」

沃夫斯比德的優質200毫米N型碳化硅基板，每平方厘米微管數量少於0.01個，即每晶圓少於三個微管，此已透過業界標準的X射線形貌分析驗證，並具備低穿透螺旋位錯。結合沃夫斯比德已證實的晶圓形狀及批次間一致性，更高的裸晶圓質量直接轉化為更佳的外延性能，且完全可在客戶現有的外延工藝中實現。

憑藉成熟的製造工藝及深厚的材料專業知識，沃夫斯比德的優質材料可實現每批次更高產量及改善製造經濟效益。該產品現已可訂購，並具備專用產能及清晰的產品擴展路線圖。沃夫斯比德具備製造信心及能力，可在公司已建立的大規模碳化硅製造設施內，隨著市場需求增長而迅速提升新產能。

沃夫斯比德的200毫米製造業務自2022年起持續生產，反映超四年工藝改進及產量提升，為客戶建立了成熟可靠的供應基礎。

沃夫斯比德®優質200毫米N型碳化硅基板現已上市。

關於沃夫斯比德公司：沃夫斯比德（紐約證券交易所代號：WOLF）在全球碳化硅技術的普及方面處於市場領先地位，這些技術為全球最具顛覆性的創新提供動力。作為碳化硅的先驅及地球上最先進半導體技術的創造者，我們致力於為所有人建設一個更美好的世界。透過碳化硅材料、功率模組、分立功率器件及針對各種應用的功率晶片產品，我們將為您帶來「實現真實的力量™」。詳情請瀏覽wolfspeed.com。

沃夫斯比德®為註冊商標，「實現真實的力量™」為沃夫斯比德公司的商標。

前瞻性聲明：這次新聞稿包含前瞻性聲明，涉及已知及未知風險與不確定性，可能導致沃夫斯比德的實際結果與前瞻性聲明所示存在重大差異。前瞻性聲明本質上涉及不同程度不確定的事項，例如關於沃夫斯比德戰略計劃、優先事項、增長機會及實現盈利能力的聲明。實際結果可能因沃夫斯比德向美國證券交易委員會（「SEC」）提交的文件中詳述的因素而存在重大差異，包括其最新的10-K表格年度報告及隨後的SEC文件。這些前瞻性聲明代表沃夫斯比德截至這次發布日期的判斷。除美國聯邦證券法要求外，沃夫斯比德不承擔在這次發布日期後更新任何前瞻性聲明的意圖或義務。

（美聯社）

RAAAM記憶體技術公司今日宣布，委任前英特爾晶圓代工及三星電子高層洪灝為策略顧問。該公司提供超高密度、低功耗的晶片內記憶體技術。

洪灝將與RAAAM的管理層團隊緊密合作，支援公司的策略性增長，並加速在美國與客戶及生態系統合作夥伴的市場參與。

RAAAM記憶體技術公司委任前英特爾及三星晶圓代工高層洪灝為策略顧問。 AP圖片

洪灝在半導體產品開發、全球晶圓代工業務及商業發展方面，擁有超三十年領導經驗。他最近曾擔任英特爾晶圓代工的全球業務發展及銷售企業副總裁兼總經理，負責整體業務發展策略及全球客戶參與執行。

在加入英特爾之前，他曾任三星北美晶圓代工業務高級副總裁兼主管，負責商業策略、客戶參與、市場推廣、技術支援及晶圓代工生態系統增長。在三星系統LSI任職期間，他亦管理流動及數據中心架構中，高效率、高效能ARM架構系統單晶片產品的工程執行。

洪灝在其數十年職業生涯中，在建立主要客戶關係、加速半導體業務增長，以及指導複雜的系統單晶片及ASIC項目方面，均擁有卓越往績。他在晶圓代工管理、IP整合及合作夥伴賦能方面的深入領域專業知識，將對RAAAM擴大其策略性足跡及商業動力，帶來寶貴價值。

RAAAM記憶體技術公司聯合創辦人兼行政總裁羅伯特·吉特曼表示，洪灝是一位備受業界尊敬的資深人士，在擴展晶圓代工生態系統及推動商業增長方面，擁有成功往績。他指出，由於晶片設計師面臨嚴峻的SRAM擴展及功耗限制，RAAAM的GCRAM技術提供關鍵且具成本效益的突破。洪灝的策略性指導，將對公司擴大與美國主要半導體公司及生態系統合作夥伴的參與，帶來寶貴價值。

洪灝表示，RAAAM創新的GCRAM技術，透過標準CMOS製程實現超高記憶體密度及功耗效率，解決現代系統單晶片設計中最迫切的瓶頸之一。他很高興能在RAAAM這個關鍵增長階段提供建議。團隊已設計出真正具顛覆性的解決方案，他期待協助他們擴大其足跡，並深化在美國半導體業界內外的關係。

透過這次策略性委任，RAAAM重申其承諾，提供下一代晶片內記憶體解決方案，使晶片製造商能夠減少晶片面積、降低功耗、降低製造成本，並在無需改變標準製造流程下提升效能。

RAAAM已開發出半導體業界最具成本效益的晶片內記憶體技術，與高密度SRAM相比，可節省高達五成面積，並降低高達三倍功耗。其專利GCRAM技術可作為系統單晶片中SRAM的直接替換方案，並完全兼容標準CMOS製程，讓設計師能在更小晶片面積內整合更多記憶體並降低功耗。

（美聯社）