英諾賽科為英偉達支持的800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案

英諾賽科(02577)發自願公告，透露擬為英偉達支持的800 VDC電源架構，提供全GaN電源解決方案。

圖片來源：英諾賽科官網

800 VDC機架電源架構為AI數據中心帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求並減少二氧化碳排放。

公告指出，架構要求在800V到1V的電壓轉換中實現超高功率密度和超高效率。只有氮化鎵功率器件(GaN)能夠同時滿足這些嚴苛要求，而英諾賽科第3代氮化鎵技術則具備決定性優勢。

英諾賽科表示，作為業內唯一的全棧氮化鎵供應商及領先的氮化鎵IDM企業，公司是唯一實現1200V至15V氮化鎵量產的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉換階段提供全GaN功率解決方案的供應商，從容應對未來架構為滿足更高功率需求的演變。

英諾賽科(02577)公布，與納斯達克市場上市公司安森美半導體達成戰略合作，有望於未來數年帶數億美元的氮化鎵銷售。

圖片來源：英諾賽科官網

今次戰略合作，旨在採用英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵工藝，共同加速推進氮化鎵產業的應用和佈局。

戰略合作將通過晶圓採購等方式，整合英諾賽科的氮化鎵製造能力，以及安森美半導體在系統封裝與集成等領域的經驗和優勢，加速推動氮化鎵在新能源汽車、人工智能、數據中心，工業等領域的快速落地。