日本大阪--(BUSINESS WIRE)--2026年3月30日--
關西廣域聯合已更新「關西初創生態系統」門戶網站，旨在加強該地區初創企業及深度科技的全球溝通平台。同時，「關西深度科技前沿」（DeepTech Frontier Kansai）網站亦已更新，進一步提升關西迅速發展的深度科技生態系統的國際知名度。關西的初創生態系統近年來展現穩步增長，其生態系統總價值由2023年的26.8億美元擴大至2025年的32.3億美元。此外，根據Startup Genome發布的「全球初創生態系統排名」（GSER），關西地區的排名由2023年的第99位躍升20位至2025年的第79位，而早期融資額亦達到1.24億美元。
關西廣域聯合：關西深度科技生態系統提升全球知名度 AP圖片
關西地區擁有獨特的生態系統，基礎研究與工業應用緊密結合，其大學、研究機構及先進製造業的集中是推動生態系統增長的關鍵動力。該區在多個關鍵領域具備強大的全球競爭力，包括生命科學（再生醫學、藥物研發、醫療器械）、綠色科技（下一代能源、儲能電池及先進材料），以及先進數碼科技（人工智能、量子計算、機械人技術、Web3）。大學原創研究正日益透過初創企業實現商業化，進一步鞏固關西作為研究驅動型深度科技生態系統的地位。
儘管關西地區持續增長，但與全球規模相若的經濟區域相比，其在全球舞台上的知名度仍相對不足。因此，當局認為有必要更具策略性地向全球受眾傳達該區的成就，包括初創企業的數量及所籌集的資金，以進一步提升其國際知名度。
為應對這些挑戰，關西廣域聯合於2025年9月18日舉行的「全球初創十字路口大阪活動」期間，在「大阪氣候創新論壇」上公布了其國際傳播的策略方向。這項舉措促成了「關西初創生態系統傳播策略（2025-2029）」的制定。
在「關西深度科技前沿」品牌下，該區正透過以下方式加強其全球影響力：推動「關西深度科技前沿」的品牌知名度及參與度；整理地區初創企業及其策略潛力的資訊；以及利用全球數據庫提升國際知名度及外展工作。該策略將初創企業的融資數據、估值指標及研究成果，整合為一個結構化且持續更新的英文傳播框架。
關西地區現正加速與國際投資者及全球創新網絡的聯繫，並以深度科技作為這項工作的核心。更新後的網站將作為基礎平台，用於展示該區的生態系統，並為全球合作創造實質機會。透過這些舉措，關西旨在深化與全球投資者、企業及生態系統合作夥伴的對話，標誌著其作為國際互聯深度科技樞紐發展的新階段。
關西廣域聯合是一個地區行政組織，由大阪、京都、兵庫、滋賀、奈良、和歌山、鳥取及德島八個縣，以及京都、大阪、堺市及神戶四個指定城市組成。該組織旨在促進跨區域政策協調，以提升整個關西地區的經濟發展及全球競爭力。
（美聯社）
矽谷半導體公司 TetraMem 專注開發模擬記憶體內運算 (IMC) 方案，今日公布其 MLX200 平台已成功完成設計定案、製造，並初步驗證其22納米多級電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 模擬記憶體內運算系統單晶片 (SoC)。
這項成就標誌著基於新興非揮發性記憶體技術的模擬運算架構，邁向商業化的重要一步，有助應對現代人工智能系統中，數據傳輸、功耗及散熱限制日益嚴峻的挑戰。
MLX200 晶片照片，旁為五仙硬幣作大小參考 AP圖片
隨着人工智能工作負載持續擴展，系統效能日益受限於記憶體與運算單元之間數據傳輸的成本。模擬記憶體內運算提供截然不同的方法，直接在記憶體陣列內執行運算，大幅減少數據傳輸，並提升系統層面效率。TetraMem 的 MLX200 平台整合多級 RRAM 陣列與混合訊號運算引擎，可在記憶體內實現高吞吐量的向量矩陣運算，同時保持與先進互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 製程的兼容性。
台積電22納米製程展示的多級 RRAM 技術，具備實際部署所需的關鍵特性，包括與互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容，且額外製程複雜性極低；低電壓及低電流操作；強勁的數據保留及耐用性；以及支援提升記憶體及運算密度的高多級能力。初步晶片測試結果顯示，陣列功能一致，證明此方法適用於嵌入式非揮發性記憶體及記憶體內運算應用。
這項里程碑建基於 TetraMem 早前在 MX100 平台上的工作。該平台採用台積電65納米互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 製程製造，公司曾展示具備數千個電導級別的多級 RRAM 裝置（《自然》雜誌2023年3月刊登的「集成於互補式金屬氧化物半導體上的憶阻器具備數千個電導級別」），以及高精度模擬運算能力（《科學》雜誌2024年2月刊登的「以任意高精度編程憶阻器陣列實現模擬運算」）。這些前期成果為將技術擴展至更先進節點，奠定堅實的科學及工程基礎。
自2019年起，TetraMem 一直與全球領先的半導體代工廠緊密合作，將 RRAM 技術從早期研究推進至可製造的晶片。22納米製程所取得的進展，反映製程整合、裝置均勻性及系統級協同設計的持續發展。
MLX200 及 MLX201 平台旨在支援對功耗及延遲敏感的邊緣人工智能應用，包括語音及音頻處理、可穿戴裝置、物聯網系統及持續感測。預計將於2026年下半年開始評估取樣，而多級 RRAM 記憶體知識產權 (IP) 現已可供評估及潛在授權。
TetraMem 聯合創辦人兼行政總裁葛林博士指出：「這項里程碑反映我們與代工夥伴台積電多年來的緊密合作，並展示將多級 RRAM 及模擬記憶體內運算，從運算架構突破帶入先進節點商業晶片的可行性。我們相信此方法為提升下一代人工智能系統的能源效率及可擴展性，提供切實可行的途徑。」
MLX200 平台的成功實現，突顯多級 RRAM 模擬運算在先進半導體製程上的可行性。TetraMem 將繼續推進這項技術，以支援新興人工智能工作負載，提升能源效率及系統可擴展性。
關於 TetraMem：TetraMem 是一間位於矽谷的半導體公司，利用多級 RRAM 技術開創模擬記憶體內運算。其架構整合記憶體與運算，大幅減少數據傳輸，並提升人工智能工作負載的能源效率。憑藉在裝置、電路及系統協同設計方面的堅實基礎，TetraMem 正推進邊緣人工智能及未來高效能運算的可擴展方案，並與領先的代工廠及生態系統夥伴緊密合作，將基礎科學突破技術帶入商業化量產。
（美聯社）
