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東芝付運1200V溝槽閘極SiC MOSFET樣本 提升AI數據中心效率

商業事

東芝付運1200V溝槽閘極SiC MOSFET樣本 提升AI數據中心效率
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東芝付運1200V溝槽閘極SiC MOSFET樣本 提升AI數據中心效率

2026年05月21日 10:00 最後更新:10:13

東芝電子元件及儲存公司今日開始付運「TW007D120E」測試樣本,這是一款1200伏特溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC MOSFET),主要用於新一代人工智能數據中心的供電系統,亦適用於再生能源相關設備。

隨着生成式人工智能迅速發展,耗電量增加已成為數據中心迫切問題。特別是高功率人工智能伺服器廣泛應用,以及800伏特高壓直流電 (HVDC) 架構日益普及,正推動市場對具備更高功率轉換效率及功率密度的供電系統需求。東芝為應對新一代人工智能數據中心這些需求,已開發出TW007D120E,將有助降低功耗,並實現供電系統小型化及提高效率。

東芝:TW007D120E,一款1200伏特溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體。 AP圖片

東芝:TW007D120E,一款1200伏特溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體。 AP圖片

TW007D120E採用東芝專有溝槽閘極結構,實現業界領先的單位面積低導通電阻 (R DS(on) A);透過降低導通電阻減少傳導損耗,同時實現更低開關損耗。與東芝現有產品相比,TW007D120E將單位面積導通電阻降低約58%,並將代表傳導損耗與開關損耗之間權衡的品質因數,即導通電阻 × 閘極漏極電荷 (R DS(on) × Q gd ),提升約52%。這些特性將有助於實現數據中心供電系統高效運作及減少發熱,並有助提升整體系統效率。

這款新產品採用支援頂部散熱的QDPAK封裝。這有助於實現更高功率密度及提升功率級散熱性能,這對新一代人工智能數據中心的功率轉換至關重要。

東芝將於2026財政年度準備TW007D120E量產,並將繼續擴展產品線,包括開發汽車應用產品。透過溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體,該公司將有助於提升數據中心及各類工業設備的電源效率,並減少二氧化碳排放,支持實現脫碳社會。

TW007D120E是根據新能源及產業技術綜合開發機構 (NEDO) 資助項目JPNP21029所取得的成果開發。

(美聯社)

Soluna Holdings 公司(納斯達克:SLNH)今日宣布,以約880萬美元作價,向 Navitas Global 收購 Project Dorothy 1B 的剩餘股權。這次交易令 Soluna 全面擁有位於德州錫爾弗頓的 Project Dorothy 1B 股權,標誌著公司在 Dorothy 園區股權整合的下一步。公司早前已收購 Briscoe 風力發電場,作價5300萬美元,以及 Project Dorothy 1A,作價1650萬美元。

Briscoe 風力發電場提供150兆瓦的自有再生能源,加上現時全面控制 Project Dorothy 1A 及 Project Dorothy 1B 的股權,Soluna 已在 Project Dorothy 1 建立完整的50兆瓦發電至運算擁有鏈。這種無產權負擔的擁有權,是將園區轉型為人工智能及高效能運算工作負載的先決條件,亦有助公司向潛在客戶推廣其下一階段人工智能基礎設施發展項目 Dorothy 3。

Soluna 收購 Project Dorothy 1B 的全面擁有權,完成 Dorothy 1 園區的股權整合。 AP圖片

Soluna 收購 Project Dorothy 1B 的全面擁有權,完成 Dorothy 1 園區的股權整合。 AP圖片

Soluna 行政總裁約翰·貝利澤強調,完成收購 Dorothy 1 是公司更廣泛路線圖的重要一步,旨在為人工智能及高效能運算建立 Dorothy 3。他指出,公司現時可自行決定何時及如何轉型,並按自身條件引入合適的合作夥伴,將 Dorothy 3 作為一個完全受控、具備供電能力的園區,呈獻予人工智能客戶。

公司正積極評估與 Dorothy 2 相關的機會,作為其更廣泛園區發展策略的一部分。Soluna 的發展項目儲備現已超4.3吉瓦,當中包括超1吉瓦的項目正處於開發、建設及營運階段。

(美聯社)

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