東芝電子元件及儲存公司今日開始付運「TW007D120E」測試樣本,這是一款1200伏特溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC MOSFET),主要用於新一代人工智能數據中心的供電系統,亦適用於再生能源相關設備。
隨着生成式人工智能迅速發展,耗電量增加已成為數據中心迫切問題。特別是高功率人工智能伺服器廣泛應用,以及800伏特高壓直流電 (HVDC) 架構日益普及,正推動市場對具備更高功率轉換效率及功率密度的供電系統需求。東芝為應對新一代人工智能數據中心這些需求,已開發出TW007D120E,將有助降低功耗,並實現供電系統小型化及提高效率。
東芝:TW007D120E,一款1200伏特溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體。 AP圖片
TW007D120E採用東芝專有溝槽閘極結構,實現業界領先的單位面積低導通電阻 (R DS(on) A);透過降低導通電阻減少傳導損耗,同時實現更低開關損耗。與東芝現有產品相比,TW007D120E將單位面積導通電阻降低約58%,並將代表傳導損耗與開關損耗之間權衡的品質因數,即導通電阻 × 閘極漏極電荷 (R DS(on) × Q gd ),提升約52%。這些特性將有助於實現數據中心供電系統高效運作及減少發熱,並有助提升整體系統效率。
這款新產品採用支援頂部散熱的QDPAK封裝。這有助於實現更高功率密度及提升功率級散熱性能,這對新一代人工智能數據中心的功率轉換至關重要。
東芝將於2026財政年度準備TW007D120E量產,並將繼續擴展產品線,包括開發汽車應用產品。透過溝槽閘極碳化矽金氧半場效電晶體,該公司將有助於提升數據中心及各類工業設備的電源效率,並減少二氧化碳排放,支持實現脫碳社會。
TW007D120E是根據新能源及產業技術綜合開發機構 (NEDO) 資助項目JPNP21029所取得的成果開發。
(美聯社)