東芝電子元件及儲存裝置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，已推出一款光伏輸出光耦合器「TLX9920」，該產品採用纖薄、長沿面距離的SO6L封裝，專為汽車設備中的固態繼電器（SSR）而設，並已於今日起批量出貨。
東芝：「TLX9920」光伏輸出光耦合器，採用纖薄、長沿面距離的SO6L封裝，用於汽車設備中的固態繼電器（SSR）。 AP圖片
汽車設備繼電器單元對長壽命的需求日益增長，導致固態繼電器（SSR）取代機械繼電器的使用量增加。隨著汽車系統不斷發展，預計轉用固態繼電器的趨勢將進一步加速。
「TLX9920」適用於固態繼電器中高壓功率MOSFET的閘極驅動器。結合高壓功率MOSFET，可實現光繼電器難以達成的高壓及大電流開關。固態繼電器與機械繼電器不同，沒有實體觸點，因此消除了觸點磨損及定期維護的需要。「TLX9920」亦符合汽車電子元件可靠性標準AEC-Q101。
該產品採用SO6L封裝，沿面距離逾8毫米，實現高隔離電壓（BVs=5000Vrms）。例如，國際標準IEC 60664-12規定，在污染等級2及操作電壓逾400伏特的環境中應用，沿面距離需達5.6毫米或以上。「TLX9920」符合此要求。
「TLX9920」適用於高壓系統及惡劣環境條件。可廣泛應用於汽車設備、儲能系統（ESS）及工業電力設備的開關應用。
東芝將繼續透過開發汽車及工業設備產品，為建立安全及可持續發展的社會作出貢獻。這些產品旨在提升可靠性及推動技術創新。
（美聯社）
香港大學工程學院機械工程系陸洋教授與北京科技大學新材料技術研究院李成明教授共同領導的研究團隊，成功研製出直徑達5英吋、厚度僅3毫米的超硬鑽石（金剛石）晶圓。該晶圓的維氏硬度高達208.3 GPa，是常規金剛石硬度的2倍，被視為突破半導體材料技術瓶頸的重要成果。
採用團隊新研發的「微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）」技術製作的大尺寸鑽石（金剛石）晶圓
鑽石雖被視為「終極形態」的半導體材料，但其導熱和耐輻射性能遠超硅與碳化硅等傳統材料。然而，傳統高溫高壓（HPHT）和化學氣相沉積（CVD）技術一直難以兼顧大尺寸與高硬度。
為克服此限制，團隊創新採用「微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）」技術，並配合高頻循環脈衝氮摻雜工藝，在金剛石生長過程中構建動態非平衡環境，成功實現了英寸級超硬晶圓的量產關鍵突破。此技術透過在等離子體中以高頻方式交替加入氮源，使等離子體活性基團的組成和生長溫度在極短時間內持續波動，打破了傳統穩定生長模式的限制。這種動態調控機制不僅強化了表面重構與缺陷過程，還有效促進了特殊微觀結構的形成。
測試結果顯示，該晶圓的耐磨性達普通多晶金剛石的7倍，並能在單晶金剛石表面留下清晰劃痕。透過高倍電子顯微鏡分析，團隊發現晶圓內部形成了密度高達 4.3×10¹² cm⁻² 的三維互鎖堆垛層錯網絡結構，有效抑制了位錯運動。此外，相關的摻氮生長技術亦適用於複雜三維結構表面，可直接運用於刀具與機械元件上。
領導研究的陸洋教授表示：「這項大尺寸超硬鑽石晶圓的突破，將為金剛石在極端環境探測、先進製造業及半導體熱管理等領域的應用打開新局面。我們期待新技術為第三及四代半導體材料發展注入強心針。」
這項研究成果已發表於國際頂尖學術期刊《自然—通訊》（Nature Communications），文章標題為「Inch-scale Ultrahard Diamond Wafer with 200 GPa Hardness via High-Frequency Pulsed Local Non-Equilibrium Growth」。
