瑞薩電子抗輻射晶片助NASA Artemis II載人登月任務升空

東京--(BUSINESS WIRE)--2026年4月1日--

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子公司（Renesas Electronics Corporation，東京證券交易所：6723）今日宣布，其抗輻射（rad-hard）晶片正應用於美國太空總署（NASA）的「Artemis II」任務。該任務已於4月1日從佛羅里達州（Florida）的甘迺迪太空中心（Kennedy Space Center）成功發射。作為數十年來首次載人繞月任務，「Artemis II」標誌著NASA重返月球並在月球表面建立長期存在計劃的一個重要里程碑。

瑞薩電子抗輻射晶片助NASA「Artemis II」載人登月任務升空 AP圖片

四名太空人現正乘坐NASA的「獵戶座」（Orion）太空船，執行「Artemis II」任務，前往繞月軌道，將人類帶到逾五十多年來最遠離地球的距離。飛行期間，機組人員將在深空環境中測試太空船系統及機組表現，然後安全返回地球。是次任務將驗證關鍵的太空船能力，並為「獵戶座」未來的載人旅程及登月作好準備。

在「Artemis II」的核心系統中，包括「獵戶座」太空艙及太空發射系統（SLS）火箭，瑞薩電子（Renesas）的抗輻射晶片應用於多個子系統。這些Intersil品牌設備嵌入在太空飛行器的航空電子設備及安全發射系統中，有助於調節及分配電力、維持訊號完整性，並支援機載運算。這些專用晶片專為在人類太空任務典型的高輻射水平及極端溫度下可靠運行而設計。

瑞薩電子高可靠性業務部門副總裁克里斯·史蒂芬斯（Chris Stephens）表示：「載人航天任務不容許任何失敗，我們很榮幸能成為少數獲委託為是次歷史性載人『Artemis』任務提供航天級技術的半導體公司之一。我們的抗輻射設備有助於在機組人員深入太空時，保持太空船系統的連接、保護及精確控制。我們期待透過我們的航天級半導體解決方案，支援未來的里程碑任務，並開啟太陽系探索的新時代。」

瑞薩電子（Renesas）的Intersil品牌在太空產業擁有逾六十年的悠久歷史，始於1950年Radiation公司（Radiation Inc.）的成立。自那時起，幾乎所有衛星、穿梭機發射及深空探索任務都包含Intersil品牌產品。瑞薩電子利用這項經驗，為國防、高可靠性（Hi-Rel）及抗輻射太空市場提供高效、熱優化及高度可靠的SMD、MIL-STD-883及MIL-PRF 38535 V/Q級Intersil品牌產品。瑞薩電子Intersil品牌的抗輻射晶片支援數據通訊傳輸、電源供應及電源調節、一般保護電路，以及遙測、追蹤及控制（TT&C）等關鍵任務應用中的子系統。

（美聯社）

RAAAM記憶體技術公司今日宣布，委任前英特爾晶圓代工及三星電子高層洪灝為策略顧問。該公司提供超高密度、低功耗的晶片內記憶體技術。

洪灝將與RAAAM的管理層團隊緊密合作，支援公司的策略性增長，並加速在美國與客戶及生態系統合作夥伴的市場參與。

RAAAM記憶體技術公司委任前英特爾及三星晶圓代工高層洪灝為策略顧問。 AP圖片

洪灝在半導體產品開發、全球晶圓代工業務及商業發展方面，擁有超三十年領導經驗。他最近曾擔任英特爾晶圓代工的全球業務發展及銷售企業副總裁兼總經理，負責整體業務發展策略及全球客戶參與執行。

在加入英特爾之前，他曾任三星北美晶圓代工業務高級副總裁兼主管，負責商業策略、客戶參與、市場推廣、技術支援及晶圓代工生態系統增長。在三星系統LSI任職期間，他亦管理流動及數據中心架構中，高效率、高效能ARM架構系統單晶片產品的工程執行。

洪灝在其數十年職業生涯中，在建立主要客戶關係、加速半導體業務增長，以及指導複雜的系統單晶片及ASIC項目方面，均擁有卓越往績。他在晶圓代工管理、IP整合及合作夥伴賦能方面的深入領域專業知識，將對RAAAM擴大其策略性足跡及商業動力，帶來寶貴價值。

RAAAM記憶體技術公司聯合創辦人兼行政總裁羅伯特·吉特曼表示，洪灝是一位備受業界尊敬的資深人士，在擴展晶圓代工生態系統及推動商業增長方面，擁有成功往績。他指出，由於晶片設計師面臨嚴峻的SRAM擴展及功耗限制，RAAAM的GCRAM技術提供關鍵且具成本效益的突破。洪灝的策略性指導，將對公司擴大與美國主要半導體公司及生態系統合作夥伴的參與，帶來寶貴價值。

洪灝表示，RAAAM創新的GCRAM技術，透過標準CMOS製程實現超高記憶體密度及功耗效率，解決現代系統單晶片設計中最迫切的瓶頸之一。他很高興能在RAAAM這個關鍵增長階段提供建議。團隊已設計出真正具顛覆性的解決方案，他期待協助他們擴大其足跡，並深化在美國半導體業界內外的關係。

透過這次策略性委任，RAAAM重申其承諾，提供下一代晶片內記憶體解決方案，使晶片製造商能夠減少晶片面積、降低功耗、降低製造成本，並在無需改變標準製造流程下提升效能。

RAAAM已開發出半導體業界最具成本效益的晶片內記憶體技術，與高密度SRAM相比，可節省高達五成面積，並降低高達三倍功耗。其專利GCRAM技術可作為系統單晶片中SRAM的直接替換方案，並完全兼容標準CMOS製程，讓設計師能在更小晶片面積內整合更多記憶體並降低功耗。

（美聯社）